I_DM

Continuous drain current @T_C=25°C

115

A

Continuous drain current @T_C=100°C

76

A

I_DM

Pulsed drain current @T_C=25°C (pulse width: 10us)

250

A

V_DSS

Drain to source voltage (T_J = -55°C to 150°C)

1200

V

V_GSS

Gate to source voltage

-4/+18

V

P_D

Maximum power Dissipation @T_C = 25°C

446

W

T_C

Operating Temperature

Case

-55 to +175

℃

T_J

Junction

-55 to +175

℃

T_S

Storage Temperature

-55 to +175

℃

T_SOLD

Soldering Peak Temperature

260

℃

M_d

Mounting Torque 1 @M3 or 6-32 screw

1

Nm

8.8

lbf-in

R_θJC

Junction-to-Case

0.27

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

40

°C/W

Forward Device Characteristics

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS = 0 V，I_DSS = 100μA

1200

-

-

V

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

V_GS = VDS, I_D = 23mA

1.8

2.6

3.6

V

V_DS=VGS, I_D=23mA, T_J=175°C

-

2.0

-

V

R_DS(on^a₎

Drain-Source On-State Resistance

V_GS=18V, I_D=75A, T_J=25°C

11

16

21

mΩ

V_GS=18V, I_D=75A, T_J=175°C

-

28.8

50

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=1200V, V_GS=0V, T_J=25°C

-

1

250

μA

I_GSS

Gate-Source Leakage Current

V_GS=22V

-

10

-

nA

g_fs

Transconductance

V_DS= 20 V, I_DS= 75 A

-

53

-

S

V_DS= 20 V, I_DS= 75 A, T==175°C

-

47

-

C_ISS

Input Capacitance

V_GS=0V, V_DS=1000V, f=100KHz, 

V_AC=25mV

-

4300

-

pF

C_OSS

Input Capacitance

-

236

-

pF

C_RSS

Reverse Transfer Capacitance

-

35

-

pF

E_OSS

COSS Stored Energy

-

135

-

μJ

E_ON

Turn-On Switching Energy (SiC Diode FWD)

V_DS= 800V, V_GS = -4 V/+15 V, I_D = 75 A,

R_G(ext) = 5Ω, L= 65.7 μH, T_J= 175ºC

4,64

mJ

E_OFF

Turn Off Switching Energy (SiC Diode FWD)

-

2.93

-

E_ON

Turn-On Switching Energy (Body Diode FWD)

V_DS = 800V, V_GS = -4V/+15V, I_D =75 A,

R_G(ext) = 5Ω, L= 65.7 μH, T_J= 175ºC

7.79

mJ

E_OFF

Turn Off Switching Energy (Body Diode FWD)

2.95

Q_G

Total Gate Charge

V_DS=800V, V_GS=-4V to 8V, I_D=20A

-

206

-

nC

Q_GS

Gate to Source Charge

-

60

-

Q_GD

Gate to Drain Charge

-

44

-

t_D(on)

Turn-On Delay Time

V_DS=800V, V_GS=-4V to 15 V, 

R_G(ext) = 5 Ω, I_D = 75 A, L= 65.7 μH

Timing relative to V_DS, Inductive load

-

174

-

nS

t_R

Rise Time

-

28

-

t_D(off)

Turn-Off Delay Time

-

84

-

t_F

Fall Time

-

27

-

Forward Device Characteristics

V_SD

Diode Forward Voltage

V_GS=-4V, I_S=37.5A, T_J=25°C

-

3.9

-

V

V_GS=-4V, I_S=37.5A, T_J=175°C

-

3.6

-

I_S

Continuous Diode Forward Current

V_GS = -4 V, T_C = 25˚C

112

A

I_S, pulse

Diode pulse Current

V_GS = -4 V, pulse width tP limited by Tjmax

250

A

t_RR

Reverse Recover time

I_S=75A, V_GS=-4V, di/dt=1000A/μs,

V_DD=400V, T_J=175°C

-

96

-

ns

Q_RR

Reverse Recovery Charge

604

nC

I_rrm

Peak Reverse Recovery Current

15

t_RR

Reverse Recover time

I_S=75A, V_GS=-4V, di/dt=1000A/μs,

V_DD=400V, T_J=175°C

54

Q_RR

Reverse Recovery Charge

630

I_rrm

Peak Reverse Recovery Current

19