Collector-emitter voltage, T_j=25℃

V_CE

1200

V

DC collector current, limited by T_jmax

I_C

100 ¹⁾

A

Pulsed collector current, t_p limited by T_jmax

I_c,puls

300

A

Gate emitter voltage

V_GE

±30

V

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55 … +150

℃

Short circuit data ^1) 2) V_GE=15 V, V_CC=800 V, T_J=150 °C

t_sc

40

us

Min

Typ

Max

Collector-emitter breakdown voltage

V_(BR)CES

V_GE=0 V, I_C=1 mA

1200

-

-

V

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_GE=15 V, I_C=20 mA

-

1.3

1.5

V_GE=15 V, I_C=50 mA

-

2.2³⁾

2.5³⁾

Gate-emitter threshold voltage

V_GE(th)

I_C=1 mA, V_GE= V_CE

4.0

5.0

7.0

Zero gate voltage collector current

I_CES

V_CE=1200 V, V_GE= 0 V

-

-

10

uA

Gate-emitter leakage current

I_GES

V_CE=0 V, V_GE= 20 V

-

-

80

nA

Integrated gate resistor

R_Gint

-

5

-

Ω

Min

Typ

Max

Input capacitance

C_iss

V_CE=25 V,

V_GE=0 V, 

f=1 MHz

-

10000

-

pF

Output capacitance

C_oss

-

500

-

Reverse transfer capacitance

C_rss

-

200

-