V_DSmax

Drain – Source Voltage

1200

V

V_GSmax

Gate – Source Voltage (Absolute maximum values)

-8/+22

V

V_GSop

Gate – Source Voltage (Recommended operational values)

-4/+18

V

I_D

Continuous Drain Current, T_C =25℃

38

A

Continuous Drain Current, T_C =100℃

27

A

I_D(pulse)

Pulsed Drain Current

80

A

T_J, T_stg

Operating junction and Storage temperature

-55~175

℃

BV_DSS

Drain to Source Breakdown

V_GS=0V, I_D=100μA

1200

-

-

V

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

V_DS=VGS, I_D=5mA

2.3

2.8

3.6

V

V_DS=VGS, I_D=5mA, T_J=175℃

-

2.1

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=1200V, V_GS=0V

-

1

10

μA

I_GSSF

Gate-Body Leakage, Forward

V_GS=20V, V_DS=0V

-

1

100

nA

R_DS(ON)

Drain Source Resistance

V_GS=18V, I_D=20A

-

70

85

mΩ

V_GS=18V, I_D=20A, T_J=175℃

-

120

-

V_SD

Diode forward voltage

V_GS = -4V, I_SD= 10A

-

4.3

-

V

V_GS = -4V, I_SD= 10A, T_J=175℃

-

3.8

-