碳化硅芯片

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碳化硅芯片
SiC MOSFET (1200V 80mΩ 25A)

Maximum Ratings(TJ=25°C)

Characteristic 

Symbol

Conditions

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS = 0 V

1200

V

Continuous Drain Current

ID

VGS = 20 V

25

A

Gate-Source Voltage

VGS

Recommended DC operating values

-5 to +20

V

Operating Junction Temperature

TJ


-40 to +175 ℃

Storage Temperature

TSTG


-40 to +175 ℃


Electrical Characteristics in C/P test  (TJ=25℃)

Characteristic 

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID = 100µA

1200

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

VF

VDS = 1200, VGS = 0V

-

1

100

μA

Gate Leakage Current

IGSS,F

VGS = 22V, VDS = 0V

-

-

100

nA

IGSS,R

VGS = -6V, VDS = 0V

-

-

100

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

ID = 20A, VGS = 20V

-

80

100

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 10mA

1.8

2.8

4.0

V

QQ

电话

027-87807177
工作日 9:00-17:00

公众号

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